1: 2015/02/17(火) 01:09:17.89 ID:???.net
掲載日:2015年2月16日
http://www.zaikei.co.jp/article/20150216/235847.html

no title


 自然科学研究機構分子科学研究所(協奏分子システム研究センター)の須田理行助教、山本浩史教授、独立行政法人理化学研究所の加藤礼三主任研究員らの研究グループは13日、光に応答する有機分子を組み込んだ電界効果トランジスタを作製することで、光の照射によってオン・オフが可能な超伝導スイッチを開発したと発表した。

 超伝導物質を用いた電界効果トランジスタは、高速かつ省エネルギーな超伝導エレクトロニクスの基盤技術として期待されており、これまでにも電気的にスイッチ可能な超伝導トランジスタの開発が行われてきたが、今回の技術は将来的に光で遠隔操作可能な高速スイッチング素子や、超高感度光センサーなどの開発につながる可能性があるという。

 今回の実験では、このκ-Brを用いた超伝導トランジスタのゲート電極部分を、スピロピランと呼ばれる光に応答して電気的に分極する有機分子からなる薄膜に置き換えた構造を持つ、新たな光駆動型トランジスタを作製した。これまでの電界効果トランジスタでは、外部電源を用いてゲート電極へ電圧を印加し、物質に電荷を蓄積させることで電気抵抗を制御していた。

続きはソースで

(坂本直樹)

<画像>
従来の電界効果トランジスタ(A)と光駆動型トランジスタ(B)の模式図(自然科学研究機構分子科学研究所の発表資料より)
http://www.zaikei.co.jp/files/general/2015021523394631big.png

紫外光照射による絶縁体から超伝導への変化(自然科学研究機構分子科学研究所の発表資料より)
http://www.zaikei.co.jp/files/general/2015021523394703big.png

<参照>
光でオン・オフ可能な超伝導スイッチを開発(山本グループら) | 分子科学研究所
https://www.ims.ac.jp/news/2015/02/13_3096.html

Light-induced superconductivity using a photoactive electric double layer
http://www.sciencemag.org/content/347/6223/743.abstract

引用元: 【電磁気学/半導体】分子科学研究所、光でオン・オフ可能な超伝導スイッチを開発

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3: 2015/02/17(火) 01:34:46.99 ID:IvI+9f26.net
> 7.3ケルビンで電気抵抗が急激に減少し

常温で使えないと意味が無い!

6: 2015/02/17(火) 02:10:08.84 ID:p1YMKB3y.net
>>3
逆に考えるんだ。
宇宙空間などの極低温環境化で使えるスイッチだ、と。

10: 2015/02/17(火) 10:06:26.03 ID:Qh+ALH1Q.net
>>6
天才あらわる

4: 2015/02/17(火) 01:36:40.19 ID:f6SuXwkU.net
一方ロシアは

7: 2015/02/17(火) 03:41:30.02 ID:qdaYUhD2.net
「光駆動型トランジスタにウルトラバイオレットライト光を当てることで、超伝導状態へ転移!」
「ぐぬう・・・ ではこちらは、ウルトラバイオレットライト照射をカットすることで超電導状態を解除・・・ なっ、何故だ!」
「見たか!これが光に応答する有機分子を組み込んだニュータイプ電界効果トランジスタの力だ!」
「くそう・・・オレの残りカードはもうこれしか・・・可視光を照射・・・」
「あっ・・・」
っていうことやな

9: 2015/02/17(火) 05:42:32.59 ID:m1JYWBeR.net
すげえな

半導体、超伝導、トランジスタ、電極
この辺に関連した技術革新が近々あるなら、仕込む銘柄は決まった

11: 2015/02/17(火) 16:57:57.39 ID:PkAKU4hs.net
スイッチング速度遅そう

12: 2015/02/17(火) 22:22:01.73 ID:dL5oxgau.net
>これまでの
>電界効果トランジスタでは、外部電源を用いてゲート電極へ電圧を印加し、物質に電荷を蓄積させることで電気抵抗を
>制御していた。

光MOS FETも知らないとか、ものを知らないにも、程がある

http://japan.renesas.com/products/opto/technology/difference/index.jsp
一方、光MOS FETは、光発電セルを持ち、メーク型接点の場合、発光ダイオード(LED)が光ると、光発電セルがFETのゲー
ト容量を充電してゲート-ソース間電圧を高くし、FETが導通します。

>これまでにも電気的にスイッチ可能な超伝導トランジスタの開発が行われてきたが

とあるとおり、超伝導なのは本質じゃないしなー

13: 2015/02/17(火) 23:47:58.66 ID:ly6J1Rqn.net
>>12
電界効果による超伝導転移の制御自体も報告が少ないからかなり重要な成果なんだよ
知らないと思うけど笑

14: 2015/02/17(火) 23:59:33.46 ID:dL5oxgau.net
>>13
>電界効果による超伝導転移の制御自体も報告が少ないからかなり重要な成果なんだよ

そこまで限定した主張ならともかく、

19: 2015/02/19(木) 23:47:46.33 ID:rt+jzaL9.net
>>14
馬鹿だなぁ
追試じゃねえよ
電界効果による超伝導発現の例 調べてみ笑
とんちんかんな事いってると恥ずかしいよ

20: 2015/02/20(金) 00:00:04.93 ID:EUAqo7MW.net
追試じゃないなら、馬鹿は>>19とお前じゃないか

同じ連中が同工異曲で、似たような報告連発した場合も含めてな

14: 2015/02/17(火) 23:59:33.46 ID:dL5oxgau.net
>>12
>これまでの
>電界効果トランジスタでは、外部電源を用いてゲート電極へ電圧を印加し、物質に電荷を蓄積させることで電気抵抗を
>制御していた。

って、真っ赤な嘘なんだわ

「報告が少ないからかなり重要な成果」ってのも、既に報告はあることの追試が重要な成果とか、出鱈目すぎるけどな

15: 2015/02/18(水) 00:14:17.84 ID:ZQ1HlahH.net
光MOSFETだって電荷を溜めることで導通する従来型FETを動かしてることに変わりは無いじゃん
今回のは新型FETを作れたって発表でしょ

16: 2015/02/18(水) 00:38:29.74 ID:SPDTSsZw.net
>>15
>光MOSFETだって電荷を溜めることで導通する従来型FETを動かしてることに変わりは無いじゃん

うん、Field Effectって、電荷による場の効果のことだからね

>今回のは新型FETを作れたって発表でしょ

え?

え?

え?

Field Effectを使わないFETwwwwwwwwwwwwwwwwwwww

17: 2015/02/18(水) 00:46:04.90 ID:ZQ1HlahH.net
外部から電圧をかけることで電気分極を起こし導通させるのが従来型
光により電気分極を起こし導通させるのが新型

分極することにより導通するという原理は同じだからFETでいいでしょ
何を煽ってるのやら

18: 2015/02/18(水) 01:05:28.74 ID:ehh2jd6V.net
なるほど、分極によって反転層を形成して多数キャリアを得るわけか
じゃたしかにFETだね。

8: 2015/02/17(火) 04:40:35.16 ID:4ILkHA1o.net
光速ではなさそうだな。