1: 2015/12/10(木) 21:59:34.44 ID:CAP_USER.net
共同発表:電圧書込み方式不揮発性メモリーの安定動作の実証と書込みエラー率評価~超低消費電力の電圧書込み型磁気メモリー「電圧トルクMRAM」の実現に道筋~
http://www.jst.go.jp/pr/announce/20151210/index.html


ポイント
不揮発性メモリーMRAMの新しい書込み方式「電圧書込み」の安定動作を実証。
実用上重要な書込みエラー率の評価法を開発、実用化に必要なエラー率実現に道筋。
電圧書込み型の不揮発性メモリーによる情報機器の超低消費電力化の可能性。


国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下「産総研」という)スピントロニクス研究センター【研究センター長 湯浅 新治】
電圧スピントロニクスチーム 塩田 陽一 研究員は、電圧を用いた磁気メモリー書込みの安定動作を実証し、実用化に必要な書込みエラー率注1)を実現する
道筋を明らかにした。

非常に薄い金属磁石層(記録層)をもつ磁気トンネル接合素子(MTJ素子)注2)にナノ秒程度の極短い時間電圧パルスをかけると、磁化反転注3)を誘起できる。これを利用すると磁気メモリーへの情報の書込みができる。今回、この電圧書込み方式の安定動作を実証し、また書込みエラー率の評価法を開発して、エラー率を4×10-3と評価した。

さらに、実験結果を再現できる計算機シミュレーションを用いて、磁気摩擦定数注4)の低減と熱じょう乱耐性Δ注5)の向上、あるいは書込み後のベリファイ注1)の実行により、メモリー用途に求められる10-10~10-15というエラー率を実現できる可能性があることを示した(下図(b))。電圧書込み方式は電流が不要なので消費電力が非常に小さくなる。今回の成果により、超低消費電力の電圧書込み型不揮発性メモリー注6)「電圧トルクMRAM注7)」の研究開発の加速が期待される。

この成果の詳細は、2015年12月10日に日本の科学誌Applied Physics Expressのオンライン速報版に掲載される。

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引用元: 【技術】電圧書込み方式不揮発性メモリーの安定動作の実証と書込みエラー率評価 超低消費電力の電圧書込み型磁気メモリーの実現に道筋

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2: 2015/12/10(木) 22:06:30.87 ID:7m1PpuB8.net
出来の悪い私めに誰か三行で説明してください

4: 2015/12/10(木) 22:11:50.14 ID:uxIAis4L.net
>>2 少ないエネルギーで書き込みできるので電池長持ち

5: 2015/12/10(木) 22:12:07.28 ID:o9EZ7+uZ.net
電力を用いずとも消えないメモリー  …スマホの「OS」など ※意識的に書き換えも可能

6: 2015/12/10(木) 22:12:34.07 ID:SdoIbSB4.net
補助金ねらいで無いことを祈る

8: 2015/12/10(木) 22:20:16.45 ID:IBvg7gR6.net
なんでもいいからよ~
とっとと実用化してから話題に出せや
いくらあんだよ出す出す詐欺開発

9: 2015/12/10(木) 22:21:36.32 ID:g/SI5rEz.net
JSTの予算を半分まで圧縮へ
太陽光の悪行が酷過ぎる

>>1
その技術をメモリ業界へ高額で販売し、収益を次の研究費に充てろや
それを繰り返し→JSTを民間企業へ降格
国は予算削減で大助かり
多分、次のステップは責任すら取らない理事を全員解雇処分だけどね

14: 2015/12/11(金) 01:42:45.77 ID:s8oPXeRm.net
人間の脳ってものすごい記憶容量なんだってね。
何でも大英図書館の蔵書の1兆倍とか。
神は偉大なり。

15: 2015/12/11(金) 07:33:53.01 ID:zRAtFwSX.net
そもそも最初から品質の良いデバイスを作成すればエラーなど起きない
製造技術のクォリティに予算を掛ければ、後付の誤魔化しは不要

16: 2015/12/11(金) 08:33:57.60 ID:JA6uDuYU.net
エラー率0.4%?
めちゃ高く感じるが開発の初期段階はそんなもんか

18: 2015/12/12(土) 02:52:54.65 ID:DWw7NQ2N.net
>>16
最近のHDDやFlashはECC等の誤り訂正が前提で使い物になってるだけで
生データのエラー率だとそんなには違わない

17: 2015/12/11(金) 13:20:14.01 ID:GW4D50ed.net
産総研のMRAMは東芝との結びつきが強すぎてなあ。

19: 2015/12/12(土) 22:20:43.25 ID:lacDtxlB.net
いろいろ欠点を指摘されてるDRAMやフラッシュメモリが結局大正義
MRAMやFeRAMは万年次世代メモリ

23: 2015/12/13(日) 04:37:02.00 ID:YyPFiZsc.net
>>19
プロセス微細化が進むとマイコンにフラッシュが組み込めなくなる
ReRAMなんかの出番はその時
STT-RAMは読み書きの速さと書き換え回数の無制限という特性から、主にプロセッサー内のSRAMの置き換え 
どっちもフラッシュやDRAMを直接置き換えることは、当分は無さそうだってのは結論が出てる

22: 2015/12/13(日) 04:26:47.21 ID:vyXBuaoz.net
DRAMは使わない時も電気食うけどMRAMは使わない時電気要らないから
リーク電流気にしないで好きなだけ微細化出来る最強のメモリー

24: 2015/12/13(日) 11:14:14.65 ID:GZHfucOI.net
主記憶装置が不揮発性になってPCやOSのアーキテクチャが変わるような時代は何時頃来るんだろう?

21: 2015/12/13(日) 03:41:13.81 ID:vyXBuaoz.net
これ系は商品化がサッパリだよなまずはSDやSSDだせよ