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1: 2016/08/23(火) 21:40:08.76 ID:CAP_USER
共同発表:世界初!反転層型ダイヤMOSFETの動作実証に成功
http://www.jst.go.jp/pr/announce/20160822/index.html


ポイント
ダイヤモンド半導体を用いた反転層チャネルMOSFETを作製しました。
同MOSFETで、低消費電力のパワーデバイスに要求されるノーマリーオフ特性が実現されていることを実証しました。


金沢大学 理工研究域電子情報学系の松本 翼 助教、徳田 規夫 准教授らの研究グループ(薄膜電子工学研究室)は、国立研究開発法人 産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター ダイヤモンドデバイス研究チームの山崎 聡 招へい研究員、加藤 宙光 主任研究員、株式会社デンソーの小山 和博 担当課長らとの共同研究により、世界で初めてダイヤモンド半導体注1)を用いた反転層チャネルMOSFET注2)を作製し、その動作実証に成功しました。

省エネルギー・低炭素社会の実現のためのキーテクノロジーとして次世代パワーデバイスの開発が求められています。ダイヤモンドは、パワーデバイス材料の中で最も高い絶縁破壊電界とキャリア移動度、そして熱伝導率を有することから、究極のパワーデバイス材料として期待されています。しかし、高品質な酸化膜およびダイヤモンド半導体界面構造の形成が困難であるため、パワーデバイスにおいて重要なノーマリーオフ特性注3)を有する反転層チャネルダイヤモンドMOSFETは実現していませんでした。

今回、研究グループは独自の手法で母体となるn型ダイヤモンド半導体層および酸化膜とダイヤモンド半導体層界面の高品質化に成功しました。それらを用いた反転層チャネルダイヤモンドMOSFETを作製し、その動作実証に成功しました。

将来、ダイヤモンドパワーデバイスが自動車や新幹線、飛行機、ロボット、人工衛星、ロケット、送配電システムなどに導入されることで、ダイヤモンドパワーエレクトロニクスの道を切り開き、省エネ・低炭素社会への貢献が期待されます。

本研究成果は、平成28年8月22日発行の英国Nature Publishingグループのオンライン雑誌「Scientific Reports」に掲載されるとともに、「ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法」として特許も出願しております。なお、本研究の一部は、科学技術振興機構(JST) 戦略的創造研究推進事業(CREST)「二酸化炭素排出抑制に資する革新的技術の創出」(研究総括:安井 至)の研究課題「超低損失パワーデバイス実現のための基盤構築」および金沢大学が独自に行う戦略的研究推進プログラム(先魁プロジェクト)「革新的省エネルギーデバイスの創製」の一環として受けて行われました。

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引用元: 【電子工学】世界初!反転層型ダイヤMOSFETの動作実証に成功 省エネ社会に大きく貢献する究極のパワーデバイスの実現へ [無断転載禁止]©2ch.net

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1: 2016/08/23(火) 12:17:39.28 ID:CAP_USER
天然シリコンにおける高性能量子ビット実装 | 理化学研究所
http://www.riken.jp/pr/press/2016/20160822_1/


要旨

理化学研究所(理研)創発物性科学研究センター量子機能システム研究グループの武田健太特別研究員、樽茶清悟グループディレクターらの共同研究チーム※は、産業的に広く用いられている通常のシリコンを用いた半導体ナノデバイスにおいて、量子計算に必要な高い精度を持つ「量子ビット[1]」を実現しました。

次世代のコンピュータとして期待されている量子コンピュータは、さまざまな計算を従来のコンピュータに比べて超高速に行うことができます。その基礎となるのが情報の最小単位であり、従来のコンピュータで用いられているビットのように0と1だけでなく、その中間の“重ね合わせ状態”をとることのできる量子ビットです。しかし、量子ビットの重ね合わせ状態は、母材中の核スピン[2]といった外部からの“雑音”に非常に弱いという問題があります。これまで、量子コンピュータを構成するのに十分な性能を持った量子ビットは、超電導回路や同位体制御[3]されたシリコンなど限られた“雑音の少ない材料”でしか実現できませんでした。

今回、共同研究グループは、通常(天然)のシリコン上に作製した半導体量子ドット[4]中に閉じ込めた電子スピン[5]を用いて、十分に高性能な量子ビットを実現しました。高速な量子ビット操作のために最適化された試料を用いることで、単一の量子ビット操作を従来の約100倍に高速化し、雑音の影響を受ける前に量子ビットの操作を終えることが可能になりました。また、量子ビット操作の「忠実度[6]」は99.6%に達しました。この値は、通常のシリコン中の電子を用いた量子ビット素子の中では最高値です。

今後、量子コンピュータを実現するには、量子ビットの数を大幅に増やす必要があります。本研究で実現した技術は、既存の半導体集積化技術を用いた量子ビット素子実装を可能とするため、大規模量子計算機の実現に向けた重要なステップといえます。

本研究は、革新的研究開発推進プログラム(ImPACT)、科学技術振興機構(JST)の戦略的創造研究推進事業チーム型研究(CREST)、日本学術振興会科学研究費助成事業の研究の一環として行われました。

成果は、米国のオンライン科学雑誌『Science Advances』(8月12日付け)に掲載されました。

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引用元: 【量子情報科学】天然シリコンにおける高性能量子ビット実装 既存の半導体技術による量子コンピュータ集積化の実現へ [無断転載禁止]©2ch.net

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1: 2016/08/22(月) 21:04:26.00 ID:CAP_USER
【プレスリリース】AES暗号処理にかかる消費エネルギーを半分以下に IoT機器向け高速・省電力暗号処理技術の開発に成功 - 日本の研究.com
https://research-er.jp/articles/view/49462
https://research-er.jp/img/article/20160822/20160822164141.png


【概要】

国立大学法人東北大学(総長:里見進)電気通信研究所の本間尚文教授、同大学院情報科学研究科の青木孝文教授、日本電気株式会社(代表取締役 執行役員社長 兼 CEO:新野隆)中央研究所の森岡澄夫博士らの研究グループは、ガロア体と呼ばれる数体系に基づく演算を圧縮する新手法を発見し、消費エネルギーをこれまでより 50%以上削減した世界最高効率の AES 暗号処理回路の開発に成功しました。今回の成果により、エネルギーの制約が大きい情報通信機器への暗号技術の搭載が促進され、モノのインターネット(IoT: Internet of Things)と呼ばれる次世代ネットワークの安全性を大きく高めることが期待されます。

本成果は,平成 28 年 8 月 19 日に米国サンタバーバラにて開催された国際暗号学会の国際会議(暗号ハードウェアと組込みシステムに関する国際会議)で発表されました。

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引用元: 【情報科学】AES暗号処理にかかる消費エネルギーを半分以下に IoT機器向け高速・省電力暗号処理技術の開発に成功 [無断転載禁止]©2ch.net

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1: 2016/08/19(金) 07:28:08.89 ID:CAP_USER9
◆2021年、ムーアの法則が崩れる?

「集積回路の実装密度は18カ月ごとに2倍になる」。
このムーアの法則は、1965年にインテル共同創業者のゴードン・ムーア氏が唱えた。

経験則だが、集積回路(半導体)の歴史はこの法則を、回路上のトランジスタやリード線といった素子を微細化することで実現してきた。
時間とともに技術は進歩し集積回路は高密度化し、それが結果として高性能化、高速化と低価格化を伴う。

18カ月で2倍、つまり3年ごとに4倍の容量のメモリチップが登場する。
15年で1024倍になり、たとえば同じ価格のメモリモジュールが1Mバイトから1Gバイトになる。

18カ月というサイクルは、厳密に言えば近年は崩れているが、驚異的なペースでの集積回路の高密度化は続いている。
集積回路が誕生したころから、我々はそれが当たり前だと思ってきた。

しかしこの法則は、2021年、つまりあと5年で崩れるという。
米国半導体工業会(SIA)が出した「2015年の半導体国際ロードマップ」と題するレポートで予測されている。

目に見える大きさから始まった集積回路は2016年現在、10nm(ナノメートル)プロセス、つまり素子1個の幅が1億分の1メートルという精密さで作られている。
これが2020年には半分の5nmプロセスになるという予測もあるが、物質を無限に分割することはできず、いずれ原子の大きさという壁にぶつかる。

トランジスタは、原子の格子構造によって電流(電子)を制御する。
5nm付近になると原子1個(およそ0.1nm)の大きさが影響を与えてくる。

回路を流れる電流、つまり移動する電子も、リード線の幅に対する抵抗や、物理学上の不確定性原理や、その他さまざまな理由から影響を受け、電子回路が実現できなくなる。
集積回路が原子や素粒子からできていることを考えれば、いつかは来る限界だとわかっていたが、ついにその限界が2021年に訪れるというわけだ。

では、どうなるのだろうか。
これまで何度も、ムーアの法則は物理的な限界を迎えたと考えられてきたが、そのたびに技術革新によって乗り越えられてきた。
だが今度の限界は、回避できそうにない。

ここで、発想を転換すれば解決できるのではないか。
回路を微細化しなくても、要するにシリコンウエハー上の同じ面積に、より多くの回路を詰め込めればいい。

具体的には、3次元方向に回路を展開する。積み重ねた薄膜上にそれぞれ回路を作り、相互に接続するなど、さまざまな3次元回路の製造法が模索されている。
発熱やコストの問題があるが、それも技術革新が解決するだろう。

こうして、2021年以後も見かけ上はムーアの法則が継続することになるかもしれない。
だが3次元回路にも、いずれ限界はやってくる。
そのときは、なにが待っているのだろうか――。

解説図:ムーアの法則の一例を示すグラフ(Wikipediaより)
http://amd.c.yimg.jp/amd/20160816-00000031-zdn_n-000-0-view.jpg

ITmedia ニュース 2016年8月16日(火)11時44分
http://headlines.yahoo.co.jp/hl?a=20160816-00000031-zdn_n-sci
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引用元: 【IT】「集積回路の実装密度は18ヶ月ごとに2倍になる」──ムーアの法則が2021年に崩れる? [無断転載禁止]©2ch.net

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1: 2016/08/08(月) 07:47:35.08 ID:CAP_USER9
総務省は、がんなどの診断で人工知能(AI)が医師を支援するシステムの開発に乗り出す。

 8Kカメラで撮影した患者の体内の超高精細画像を基に、AIが分析する仕組みで、判定の精度を高めることで、医師が病気の兆候を見逃さないようにする。開発に参加する産官学のAI研究機関や大学病院、医療機器メーカーを年内に募集し、2019年の実用化を目指す。
AIと日本が先行する8K技術を組み合わせ、医療分野に本格応用する。

続きはソースで
 
http://www.yomiuri.co.jp/science/20160807-OYT1T50136.html
16年08月08日 07時12分
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引用元: 医療】人工知能AIと8Kカメラで医師の診断を支援…がんなど見逃し防止で開発へ 総務省©2ch.net

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1: 2016/08/06(土) 21:39:13.32 ID:CAP_USER
両極性動作する有機モット転移トランジスタを実現 | 理化学研究所
http://www.riken.jp/pr/press/2016/20160805_3/
両極性動作する有機モット転移トランジスタを実現 | 60秒でわかるプレスリリース | 理化学研究所
http://www.riken.jp/pr/press/2016/20160805_3/digest/


トランジスタは半導体でできた電子部品の代表格であり、“信号を増幅すること”“回路のオン/オフを切り替えること”ができます。また、これまで、コンピュータの小型化に大きく貢献してきました。1940年代~1950年代、真空管で制御していた時代のコンピュータは部屋一つを覆い尽くすほど巨大なものでしたが、トランジスタの出現によってスマートフォンやウェアラブル端末のように、身に付けて持ち歩くことができるほど、超小型なコンピュータが実現しています。

一方、従来のトランジスタの小型化は、微細加工技術などの制約によって限界を迎えつつあります。そこで、次世代のトランジスタとして注目されているのが、モット絶縁体を利用する「モット転移トランジスタ」です。モット絶縁体とは、伝導電子を持つにも関わらず、それらが互いに反発し身動きがとれなくなり絶縁体になっている物質のことです。

モット転移トランジスタは、モット絶縁体の“電気を流す「電子液体」と、電気を流さない「電子固体」の間の相転移(電子相転移)”を利用してオン/オフを切り替えます。

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引用元: 【電子工学/物性物理学】両極性動作する有機モット転移トランジスタを実現 集積化が容易な次世代トランジスタ開発に前進 [無断転載禁止]©2ch.net

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