1: 2015/12/14(月) 12:32:06.97 ID:CAP_USER.net
電子・正孔対が作る原子層半導体の作製に成功-グラフ... | プレスリリース | 東北大学 -TOHOKU UNIVERSITY-
http://www.tohoku.ac.jp/japanese/2015/12/press20151211-02.html
http://www.tohoku.ac.jp/japanese/newimg/pressimg/tohokuuniv-press20151211_02web.pdf


東北大学原子分子材料科学高等研究機構(AIMR)の菅原克明助教、一杉太郎教授、高橋隆教授、同理学研究科の佐藤宇史准教授らの研究グループは、グラフェンを超える電子デバイスへの応用が期待されているチタン・セレン(TiSe2)原子層超薄膜の作製に成功しました。

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引用元: 【材料科学】電子・正孔対が作る原子層半導体の作製に成功 グラフェンを超える電子デバイス応用へ道

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