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プロセス

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1: 2018/09/27(木) 12:30:19.89 ID:CAP_USER
■地球のタイムカプセル「ジルコン」から探る生命の起源

 40億年前の地球はどんな姿をしていたのだろうか。そのヒントをくれるのが、ジルコン(ZrSiO4)という非常に頑丈な鉱物だ。

 ジルコン結晶は破壊することがほぼ不可能で、古いものは44億年近く前から存在する。小さなタイムカプセルとも言えるこのジルコンの中には、太古の化学的な「指紋」が残されている。「ジルコンは、わたしたちに地球の形成段階を垣間見せてくれる唯一の窓です」と、米ロチェスター大学のダスティン・トレイル氏は言う。

 9月24日付け学術誌『米国科学アカデミー紀要(PNAS)』に発表された論文において、トレイル氏のチームは、40億年前の地球表面が正確にはどのような状態にあったのかを明らかにした。最初の生命が誕生した環境が徐々に解明されようとしている。

■絶えずリサイクルする地球
 地球が形成された45億年以上前、表面の状態は現在とはまるで違っていたと考えられる。科学者たちが一般に考える初期の地球とは、ひっきりなしに隕石が降り注ぎ、火山からは溶岩がゴボゴボと音を立てて流れ出す、地獄のような場所だ。

 しかしこれらはすべて推測であり、地球最初期の数億年間から現在に至るまで残っている物理的な証拠は何もない。地球は究極のリサイクル・システムを持っており、プレートテクトニクス運動により、古い岩盤は絶えず新しいものとして再利用され、溶岩流が固まって新たな景色を形作っている。

 ジルコンの結晶はしかし、非常に硬いため、このリサイクル・プロセスにおいてさらされる非常な高温や高圧力に耐えることができ、その内部には結晶が最初に形成されたときの周囲の環境に関するヒントが残されている。ジルコン酸素同位体を用いたこれまでの研究では、43億年ほど前には、地表の一部を液体の水が覆っていたことがわかっている。これはつまり、地球の表面が、地球形成からわずか数億年後には冷えていたことを示唆している。そして昨年には、41億年前のジルコンから、初期の生命の痕跡とも考えられる炭素に富んだ含有物が見つかった。

 しかし、こうしたわずかな情報以外には、この時期の地球表面で生命を生み出すような化学反応が起きていたかどうかについては、ほとんどわかっていなかった。

■ジルコンに含まれる40億年前のヒント

 その答えを求めてトレイル氏のチームが注目したのが、ケイ素と酸素だ。ケイ素と酸素は、両方合わせると、今日の地球に存在する岩石のほぼ75パーセントを占める。この二つの元素にはまた、調べがいのある特性がある。ともに、同位体を持つことだ。

 岩石ができたり変性したりすると、そこに含まれる同位体の特性が変化する。よってたとえば、溶岩が冷えてできる岩と、風雨にさらされた岩から採取される粘土とでは、含まれる同位体の特性は大きく異なる。そしてジルコンは、地球初期の堆積物の特性を今も有している。

 ジルコンに含まれるケイ素と酸素を精密に分析するため、研究チームは、米カリフォルニア大学にある高解像度イオンマイクロプローブを使用した。電荷を帯びた原子のビームを微小なサンプルに当て、跳ね返ってくるイオンを計測するものだ。

続きはソースで

https://cdn-natgeo.nikkeibp.co.jp/atcl/news/18/092600416/ph_thumb.jpg

ナショナルジオグラフィック日本版サイト
https://natgeo.nikkeibp.co.jp/atcl/news/18/092600416/
ダウンロード (2)


引用元: 【鉱物】40億年前の地球は生命誕生の「温床」だった[09/27]

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1: 2017/06/05(月) 17:56:22.39 ID:CAP_USER
2017年06月05日 09時30分 更新
三重富士通セミコン DDC技術で:
広島大学は2017年6月5日、三重富士通セミコンダクターの低消費電力CMOS技術「Deeply Depleted Channel(DDC)」を使用して、電源電圧0.5Vで動作するミリ波帯(W帯)増幅器を開発したと発表した。
[竹本達哉,EE Times Japan]
広島大学が回路を開発

 三重富士通セミコンダクター(以下、MIFS)と広島大学は2017年6月5日、MIFSの超低消費電力CMOS技術「Deeply Depleted Channel(DDC)」を使用し、80GHzから106GHzの広帯域で動作するCMOS増幅器を開発したと発表した。

http://image.itmedia.co.jp/ee/articles/1706/05/tt170605MIFSHIROSHIMA001.jpg

55nm DDC CMOSプロセスを用いた0.5V動作ミリ波帯(W帯)増幅回路の写真 出典:広島大学/三重富士通セミコンダクター
 DDC技術は、MIFSがスイスのCentre Suisse d'Electronique et de Microtechnique(CEMS)と共同で開発を進めているCMOS技術。トランジスタのしきい値(Vt)ばらつきを抑えて実効パフォーマンスを高められ、デバイスの電源電圧(VDD)を低減できる特長がある。

http://image.itmedia.co.jp/ee/articles/1706/05/tt170605MIFSHIROSHIMA002.jpg
0.5V動作ミリ波帯(W帯)増幅回路の実測結果 出典:広島大学/三重富士通セミコンダクター

続きはソースで

 なお、今回の開発成果はRF回路技術に関する国際会議「IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium 2017(RFIC 2017)」(米国ハワイ州/2017年6月4?6日[現地時間])で発表される。
http://www.fujitsu.com/jp/group/mifs/resources/news/press-releases/2017/0605.html

ダウンロード (1)


引用元: 【半導体】電源電圧0.5Vで動作するミリ波帯CMOS増幅器 [無断転載禁止]©2ch.net
電源電圧0.5Vで動作するミリ波帯CMOS増幅器の続きを読む

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1: 2017/06/06(火) 18:52:26.19 ID:CAP_USER
https://www.nikkan.co.jp/articles/view/00430983

https://d1z3vv7o7vo5tt.cloudfront.net/medium/article/img1_file59365a250ab20.jpg
線幅5ナノメートルのトランジスタを作りこんだシリコンウエハー(米IBM提供)

米IBM、半導体受託製造大手の米グローバルファウンドリーズ(GF)、韓国・サムスン電子などで構成される研究コンソーシアムは、線幅5ナノメートル(ナノは10億分の1)の半導体チップを可能にする業界初の製造プロセスを開発した。線幅10ナノメートルの現行チップの次々世代の半導体で、実用化されれば10ナノチップに比べ、40%の性能向上と75%の省電力化が見込めるという。京都で開催中の半導体技術と回路に関する国際会議「VLSIシンポジウム」で5日発表した。

同コンソーシアムが線幅7ナノメートルのテストチップまで採用してきたフィン型の電界効果トランジスタ(FinFET=フィンフェット)構造に代わり、IBMが10年以上かけて研究してきたナノシート半導体の技術を採用。

続きはソースで

(2017/6/6 16:00)

ダウンロード (1)


引用元: 【半導体】IBM・GF・サムスン、線幅5ナノの半導体製造プロセスにめど [無断転載禁止]©2ch.net

IBM・GF・サムスン、線幅5ナノの半導体製造プロセスにめどの続きを読む

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1: 2017/06/05(月) 22:14:59.20 ID:CAP_USER
http://eetimes.jp/ee/articles/1706/05/news053.html

台湾・台北で開催された「COMPUTEX TAIPEI 2017」で、NVIDIAのCEOであるJensen Huang氏は、「ムーアの法則は終わった。マイクロプロセッサはもはや、かつてのようなレベルでの微細化は不可能だ」と、ムーアの法則の限界について言及した。
[Alan Patterson,EE Times]
2017年06月05日 11時30分 更新

「ムーアの法則は終わった」

 「ムーアの法則は終わった」。NVIDIAのCEO(最高経営責任者)を務めるJensen Huang氏は、アカデミック界で長年ささやかれてきた説について、大手半導体企業として恐らく初めて言及した。

 ムーアの法則は、Intelの共同設立者であるゴードン・ムーア氏が1965年に、「トランジスタの微細化は非常に速く進み、集積度は毎年倍増していく」と提唱したことから生まれた。ただし、微細化の速度は1975年に、「2年ごとに2倍になる」と変更された。

 Huang氏は、台湾・台北で開催された「COMPUTEX TAIPEI 2017」(2017年5月30日~6月3日)で、報道陣やアナリストに向けて、「スーパースカラーによるパイプラインの段数増加や投機的実行といったアーキテクチャの進化によって、ムーアの法則のペースは維持されてきた。だが現在は、そのペースが鈍化している」と語った。

 同氏は、「マイクロプロセッサはもはや、かつてのようなレベルでの微細化は不可能だ。半導体物理学では『デナード則』をこれ以上継続することはできない」と明言した。

http://image.itmedia.co.jp/ee/articles/1706/05/mm170605_moore.jpg

続きはソースで

【翻訳:滝本麻貴、編集:EE Times Japan】
原文へのリンク http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1331836&
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引用元: 【ムーアの法則】「ムーアの法則は終わった」、NVIDIAのCEOが言及 [無断転載禁止]©2ch.net

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1: 2016/06/27(月) 17:59:35.52 ID:CAP_USER
産総研:1000 ℃付近の高温で使用できる高精度な温度計を開発
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2016/pr20160627/pr20160627.html


ポイント

•1000 ℃付近の高温域で高精度の温度測定が可能な白金抵抗温度計を開発
• 白金線の熱処理とセンサー構造を最適化することで実現
• 材料製造プロセスなど、高温域での温度測定・温度制御技術の向上に貢献


概要

 国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下「産総研」という)物理計測標準研究部門【研究部門長 中村 安宏】温度標準研究グループ ウィディアトモ・ジャヌアリウス主任研究員と株式会社チノー【代表取締役社長 苅谷 嵩夫】(以下「チノー」という)は共同で、1000 ℃付近の高温域で高精度に温度測定ができる白金抵抗温度計を開発した。

 半導体の製造現場など、高精度な温度測定が必要な場合には、センサー部に白金線を用いた白金抵抗温度計が利用されている。しかし1000 ℃付近の高温域では白金線の抵抗値が不安定なうえに、高温によって白金線自体に熱ひずみが生じて抵抗値がより不安定になるため、精度の高い温度測定は困難であった。

 今回、産総研の国家標準(温度標準)を用いた熱サイクル試験などによって、センサー部の白金線を詳細に調べ、抵抗値を安定化させる作製条件を探した。その結果、センサーの作製過程で、白金線に適度な熱処理を加えると、1000 ℃付近の高温域でも抵抗値が安定することを見出した。さらに、高温で白金線に生じる熱ひずみを低減できるセンサー構造を新たに考案した。これらにより、高温域でも、0.001 ℃レベルの精度で温度測定できる新たな白金抵抗温度計を開発した。今後、材料プロセスなど高温域での高精度な温度測定・温度制御の実現が期待される。

 なお、この技術の詳細は2016年6月27日から7月1日までポーランドで開かれる国際学会TEMPMEKO 2016において発表される。

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ダウンロード (7)
 

引用元: 【計測工学】1000 ℃付近の高温で使用できる高精度な温度計を開発 高温域での温度測定・温度制御技術の向上に貢献 [無断転載禁止]©2ch.net

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1: 2016/04/01(金) 18:01:55.48 ID:CAP_USER.net
【プレスリリース】レーザー照射するだけで簡単に 銅配線が形成できる技術を開発 - 日本の研究.com
https://research-er.jp/articles/view/45050


芝浦工業大学(東京都港区/学長 村上雅人)応用化学科の大石知司教授は、特定の銅錯体にレーザーを当てるだけで簡単に銅配線が形成でき、電子デバイスの製造プロセスを大幅に簡略化できる技術を開発しました。

酸化が進行してしまうために困難だった通常環境(大気中)での銅の処理を可能とし、数 10~200μm 幅の微小な配線形成ができるものです。近年、印刷技術を利用して集積回路やデバイスを作る技術(プリンタブルエレクトロニクス)が注目されています。その配線材料には低コスト・高導電性を持つ銅が多く使われています。しかし、銅は大気中での扱いが難しく、大がかりな真空設備や、複雑な作製プロセスを必要とし、結果的にコストや時間がかかる問題がありました。本技術では、特別な環境下や機器を用いることなく銅配線形成を可能にするもので、ディスプレイやスマートフォンなどを容易かつ低コストに生産する技術として期待されます。

続きはソースで

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引用元: 【技術】レーザー照射するだけで簡単に銅配線が形成できる技術を開発

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