1: 2017/06/05(月) 17:56:22.39 ID:CAP_USER
2017年06月05日 09時30分 更新
三重富士通セミコン DDC技術で:
広島大学は2017年6月5日、三重富士通セミコンダクターの低消費電力CMOS技術「Deeply Depleted Channel(DDC)」を使用して、電源電圧0.5Vで動作するミリ波帯(W帯)増幅器を開発したと発表した。
[竹本達哉,EE Times Japan]
広島大学が回路を開発

 三重富士通セミコンダクター(以下、MIFS)と広島大学は2017年6月5日、MIFSの超低消費電力CMOS技術「Deeply Depleted Channel(DDC)」を使用し、80GHzから106GHzの広帯域で動作するCMOS増幅器を開発したと発表した。

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55nm DDC CMOSプロセスを用いた0.5V動作ミリ波帯(W帯)増幅回路の写真 出典:広島大学/三重富士通セミコンダクター
 DDC技術は、MIFSがスイスのCentre Suisse d'Electronique et de Microtechnique(CEMS)と共同で開発を進めているCMOS技術。トランジスタのしきい値(Vt)ばらつきを抑えて実効パフォーマンスを高められ、デバイスの電源電圧(VDD)を低減できる特長がある。

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0.5V動作ミリ波帯(W帯)増幅回路の実測結果 出典:広島大学/三重富士通セミコンダクター

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 なお、今回の開発成果はRF回路技術に関する国際会議「IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium 2017(RFIC 2017)」(米国ハワイ州/2017年6月4?6日[現地時間])で発表される。
http://www.fujitsu.com/jp/group/mifs/resources/news/press-releases/2017/0605.html

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引用元: 【半導体】電源電圧0.5Vで動作するミリ波帯CMOS増幅器 [無断転載禁止]©2ch.net
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