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半導体

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1: 2019/07/11(木) 01:11:04.95 ID:CAP_USER
インテルは「ムーアの法則」を終わらせない──新たな“技術リーダー”が考える半導体の未来(記事全文は、ソースをご覧ください。)
https://wired.jp/2019/07/10/intels-new-chip-wizard-plan-bring-back-magic/
2019.07.10 WED 18:30
WIRED
TEXT BY TOM SIMONITE

半導体の集積率が18カ月で2倍になるという「ムーアの法則」の限界が指摘されるなか、その限界論に異を唱えた男がいる。インテルのシリコンエンジニアリング担当上級副社長、ジム・ケラーだ。アップルやテスラの半導体設計を支えてきた業界の大物は、いかに半導体の進化を加速させ、インテルの存在感を再び高めようというのか。

https://wired.jp/wp-content/uploads/2019/07/business_intel_1158822168.jpg
写真:XAKAR/GETTY IMAGES

この6月の最終日、サンフランシスコ一帯をプライドパレードが虹色に埋め尽くした日曜のことだ。インテルは街のシンボルであるコイトタワーのすぐ近くで、ややマニアックとも言える少人数のパーティーを開催していた。

このイヴェントは、過去50年の半導体産業における飛躍的な品質の改善が、どれだけ技術や社会の進歩を加速させてきたかを祝う集まりだった。スタートアップやヴェンチャーキャピタル、大手テック企業から100人以上が参加し、5時間にも及んだ。誰もが半導体をテーマにしたカクテルを飲みながら、いかに砂がシリコンチップへと加工されるかといった会話を交わしていたのである。

そして、まだ“パーティー”は終わっておらず、勢いは持続するのだという主張が飛び交っていた。

「これからも、まだまだ続きますよ」と、イヴェントの共同主催者である半導体業界の大物は語った。発言の主は、インテルのシリコンエンジニアリング担当上級副社長として昨年入社した、ジム・ケラーである。

そしてケラーは、インテルの創業者のひとりであるゴードン・ムーアが54年前に提唱した「半導体の集積率は18カ月で2倍になる」というアイデアに触れ、こう語った。「ムーアの法則の勢いは衰えないのです」

・成長の機会を失ってきたインテル
今回のイヴェントの目的は、半導体産業が過去半世紀に記録したのと同じくらい大きな成長を、低迷する名門企業であるインテルが実現できることを明確に示すためのものだった。

インテルはモバイルデヴァイスの市場でチャンスをつかみ損なった。そしてポケットサイズのガジェットの普及に伴い、かつてインテルの独壇場だったパソコン市場は縮小していった。アップルやテスラの躍進を支えてきた半導体業界の大物であるケラーは、そんな厳しい時期にインテルに加わった。

いまでもインテルは、クラウドコンピューティングを支えるサーヴァー用チップの市場では支配的なシェアを握っている。しかし、最新の2世代のチップ技術の開発では出遅れている。

今年4月にインテルは、5Gのワイヤレス端末向けチップの事業を断念すると発表した。これはモバイル技術の次なる大きな波から5Gから遠ざかることを意味する。さらに、アップルの「iPhone」の一部にインテル製モデムを搭載する取引からも撤退することを明らかにしている。翌月になってインテルは投資家に対し、今後2年にわたって利益幅の縮小が予想されると説明している。

・技術開発でも出遅れ
こうした懸案材料は今回のイヴェントではほとんど語られず、技術の歴史と未来に焦点が当てられた。会場にいたインテルの従業員たちが顕微鏡の横に立っており、参加者たちは微細な最新のトランジスターをレンズ越しに覗き込むことができた。このトランジスターは、電流を1秒間に数十億回もオン/オフできる高性能なものだ。

イヴェントにはケラーに加えて、インテルのチーフアーキテクトであるラジャ・コドゥリや最高技術責任者(CTO)のマイク・メイベリーがスピーカーとして登壇した。コドゥリはアップルで一緒に働いていたころから知っているケラーを、自分がインテルに誘ったのだと語った。

コンピューティングの歴史は、インテルやムーアの法則と密接に結びついてきた。これまでにインテルは何十年もの間、新しい素材や加工技術の発明、そしてトランジスターの微細化によって、性能を2倍にするペースを維持してきた。最近ではこのペースが鈍化しており、インテルとコンピューティングの進化との結びつきに、ほころびが見えている。

続きはソースで

ダウンロード


引用元: 【半導体/集積回路】インテルは「ムーアの法則」を終わらせない──新たな“技術リーダー”が考える半導体の未来[07/11]

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1: 2019/06/27(木) 07:13:11.91 ID:CAP_USER
“夢の物質” 炭素素材の製造技術の開発に成功 名古屋大学
https://www3.nhk.or.jp/news/html/20190627/k10011970331000.html
2019年6月27日
NHK NEWS WEB

※動画あり

 次世代の半導体の材料などとして期待され、
 合成するのが難しいことから夢の物質とも呼ばれる炭素素材の「グラフェンナノリボン」を自在に製造する技術を開発したと名古屋大学のグループが発表し、
 コンピューターの小型化などに応用できる可能性があるとして注目を集めています。

 「グラフェンナノリボン」という物質は、六角形の環状の炭素分子がつながった「ナノメートル」サイズの炭素素材で、
 大きさなどによって電気の通しやすさなどの性質が変化するため、次世代の半導体などへの応用が期待されていますが、
 効率よく合成する方法はなく、夢の物質とも呼ばれています。

続きはソースで

images

引用元: 【化学】“夢の物質” 炭素素材の製造技術の開発に成功 名古屋大学[06/27]

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1: 2019/05/09(木) 11:39:07.62 ID:CAP_USER
学術雑誌Applied Physics Lettersに「宇宙の寒さ」から直接エネルギーを生み出す手法が確立されたとの論文がが掲載されました。これによると、絶対零度に近い宇宙空間に半導体ダイオードを向けることで、あたかもソーラーパネルが太陽光で発電するかのように、寒さからエネルギー取り出すことが可能だとのことです。

Experimental demonstration of energy harvesting from the sky using the negative illumination effect of a semiconductor photodiode: Applied Physics Letters: Vol 114, No 16
https://aip.scitation.org/doi/figure/10.1063/1.5089783

Experimental device generates electricity from the coldness of the universe
https://phys.org/news/2019-05-experimental-device-electricity-coldness-universe.html

「宇宙の寒さ」を利用した発電技術を発表したのは、富士フイルム先進研究所の小野修司氏らの国際研究チームです。この技術では、宇宙空間に向けたフォトダイオードを使用して寒暖差からエネルギーを得ることが可能だとのこと。

以下の画像は発電デバイスの概略図です。装置の中心にある半球状のフォトダイオードが、放物面鏡を介して空に向いている構造が見てとれます。
https://i.gzn.jp/img/2019/05/09/electricity-coldness/1734_m.png

この技術では、熱が物体から放射される際に発生する「negative illumination effect(負の照明効果)」により生じる、わずかな電気を集約してエネルギーに変換するのだとのこと。

続きはソースで

https://gigazine.net/news/20190509-electricity-coldness/
images


引用元: 【絶対零度】「宇宙の寒さ」から直接エネルギーを生み出す技術が開発される[05/09]

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1: 2019/04/19(金) 20:42:25.76 ID:CAP_USER
高輝度、長寿命、低消費電力で光を発するLEDは、信号機やフラットパネルディスプレイ、照明などの生活に欠かせない光源として幅広く用いられている。

 現在、青色と赤色のLEDには、窒化物半導体およびリン化物半導体が用いられている。しかし、これらは人間の視感度が最も高い緑色域において光変換効率が大きく低下してしまう、通称「グリーンギャップ問題」を抱えており、小型で高効率、高輝度、高精細が要求される次世代テレビやプロジェクターを実現するためには、高効率に緑色発光する全く新しい半導体材料が求められている。

 今回、東京工業大学の研究グループは、電気特性の制御ができ、かつ室温で緑色発光する新しい半導体“SrHfS3”の開発に成功した。LEDは、電子の穴(正孔)が動くp型半導体と、電子が動くn型半導体を接合した構造を持っており、ここに電圧を印加し正孔と電子を再結合させることで発光を得ているが、SrHfS3はp型とn型両方の電気伝導性を持つという。

続きはソースで

論文情報:【Journal of the American Chemical Society】Material Design of Green-Light-Emitting Semiconductors: Perovskite-Type Sulfide SrHfS3
https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/jacs.8b13622

https://univ-journal.jp/25549/
ダウンロード (5)


引用元: 【LED】高効率な緑色発光を実現 東京工業大学が次世代緑色LEDの新材料開発[04/18]

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1: 2019/04/16(火) 09:34:43.07 ID:CAP_USER
半導体を使った量子コンピューターの計算で発生する情報の誤りを高い精度で検出する手法を開発したと、理化学研究所などの国際研究チームが発表した。量子コンピューターに不可欠な技術で、実用化へ大きく前進した。英科学誌に16日、論文が掲載された。

 量子コンピューターは従来のコンピューターでは不可能な超高速の計算が可能で、将来の実用化が期待されているが、計算の誤りを訂正する技術が未確立なことが課題だった。

 半導体を使うタイプの量子コンピューターは、電子を半導体に閉じ込めて制御。自転するように回る電子の性質を利用し、その回転の向きで情報を表す。

続きはソースで

電子スピン量子ビットによる量子非破壊測定回路のイメージ図(理化学研究所提供)
http://www.riken.jp/~/media/riken/pr/press/2019/20190416_1/fig.jpg

https://www.sankei.com/economy/news/190416/ecn1904160002-n1.html
ダウンロード (1)


引用元: 【IT】量子コンピューター実用化へ前進 理研、計算の訂正手法開発[04/16]

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1: 2018/12/18(火) 15:14:31.81 ID:CAP_USER
半導体研究機関であるベルギーimecは、米サンフランシスコで開催された半導体デバイスの国際会議「IEDM 2018」にて、ムーアの法則の延命を可能とする3nmおよびその先を見据えたCMOSロジックデバイスに関する発表を行なった。

今回のIEDMにおいてimecは、 縦方向に2段積層した3nmノードのSiおよびGeゲート・オール・アラウンド(GAA)ナノワイヤ/ナノシートFETの性能向上について3件の報告を行なった。

GAA MOSFETは、従来のFinFETと比べてゲート長とゲートピッチのさらなる微細化の実現に向けた有力候補で、ナノワイヤまたはナノシートを垂直に積み重ねることによって、限られたフットプリントの下で駆動電流を最大にすることができる。前回のIEDMにおいて、imecは実際に動作する積層GAAデバイスを発表していたが、今回は、その実用化に向けた一環としてのプロセスの最適化、GAA MOSFETの歪みの効果、信頼性と劣化のメカニズムに関した報告を行なったという。

1つ目の発表は、プロセスの最適化により、ナノワイヤのサイズを低減し、電気的性能を低下させることなく形状制御性を改善させたというもの。

続きはソースで

■GeナノワイヤGAA FET(左)およびSiナノシートGAA FET(右)のTEMによる断面図 (出所:imec)
https://news.mynavi.jp/article/20181218-742418/images/001.jpg

https://news.mynavi.jp/article/20181218-742418/
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引用元: 【半導体】ムーアの法則の延命へ - 3nm以降の実現に向けた研究成果をimecが報告[12/18]

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