理系にゅーす

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単結晶

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1: 2014/08/24(日) 22:52:51.62 ID:???0.net
朝日新聞デジタル 8月24日(日)16時8分配信
http://headlines.yahoo.co.jp/hl?a=20140824-00000020-asahi-sci
究極の透明な氷を作る方法を、長岡技術科学大学(新潟県)の上村靖司教授(雪氷工学)が開発した。
零度より高い環境で凍らせ、水の分子が完璧に並ぶ「単結晶」にする常識破りの手法。特許も取得した。

 水の単結晶の代表は、きれいな水が洞窟で長時間かけて凍った「氷筍(ひょうじゅん)」。
固くしまって溶けにくく、水と見分けがつかないほど透明で美しい。水分子が六角形の網目をつくり、
乱れなく並んで「一体化」しているためだ。

 水に不純物が溶け込んでいると氷の中に気泡ができて濁る。コンビニなどで市販されているきれいな氷は、零下10度ほどでゆっくり冷やし、気泡を外に逃がしながら凍らせている。

写真 単結晶の氷。濁りがなく、水のように透明だ=上村靖司・長岡技術科学大学教授提供
http://headlines.yahoo.co.jp/hl?a=20140824-00000020-asahi-sci.view-000

引用元: 【技術】究極の透明な氷、できた 温度2度でも結晶化 特許取得

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1: ラダームーンサルト(WiMAX) 2013/12/04(水) 20:20:46.86 ID:0WNFVWjQ0 BE:4619463269-PLT(12001) ポイント特典

SiC単結晶を高速成長できる昇華法用高純度粉末原料を開発 - 産総研など

産業技術総合研究所(産総研)は12月3日、太平洋セメントおよび屋久島電工と共同で、パワー半導体用SiCバルク単結晶の高速成長を可能とする昇華法用高純度SiC粉末原料を開発したと発表した。

同成果は、同所 先進パワーエレクトロニクス研究センター ウェハプロセスチームの加藤智久研究チーム長によるもの。詳細は、12月9日~12月10日に埼玉県さいたま市にて開催される「SiC及び関連半導体研究第22回講演会」で発表される。

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http://news.mynavi.jp/news/2013/12/04/461/images/001l.jpg
昇華法用高昇華型SiC粉末原料

Siデバイスに比べて、高効率・低損失なSiCパワーデバイスは、すでにSBDやMOSFETで実用化されており、今後、同市場は大きく拡大していくと考えられている。この流れをさらに加速させるためには、デバイスに使われるSiC基板の低コスト化が必須とされている。
SiC基板の低コスト化を図るには、SiCバルク単結晶(インゴット)の生産性を高める必要がある。SiCインゴットは、SiC粉末原料を約2400℃の高温で昇華させ、再析出させる昇華再結晶法(改良Lely法)で製造される。同製造法におけるSiCインゴットの生産性は、原料となるSiC粉末の昇華特性に大きく影響を受けると考えられ、生産性を高めるためには、昇華速度、昇華ガス量などが優れたSiC粉末材料が求められている。

http://news.mynavi.jp/news/2013/12/04/461/index.html

つづく



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