1: 2016/09/13(火) 18:12:32.55 ID:CAP_USER
【プレスリリース】新材料ゲルマネンの原子配置に対称性の破れ ― 省エネ・高速・小型電子デバイス実現に向けた素子開発へ道 ― - 日本の研究.com
https://research-er.jp/articles/view/50105
https://research-er.jp/img/article/20160913/20160913173722.png


【発表のポイント】

•全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法を用いて、グラフェンのゲルマニウム版であるゲルマネンの原子配置の解明に成功
•ポストグラフェンとなる新材料ゲルマネンを利用した次世代電子デバイス開発に貢献


国立研究開発法人日本原子力研究開発機構(理事長 児玉敏雄、以下「原子力機構」)先端基礎研究センターの深谷有喜研究主幹らは、東京大学物性研究所(総長 五神真)の松田巌准教授らと高エネルギー加速器研究機構(機構長 山内正則、以下「KEK」)物質構造科学研究所の兵頭俊夫特定教授らのグループとの共同研究により、1)全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法を用いて単原子層状物質グラフェンのゲルマニウム版である 2)ゲルマネンの原子配置を決定しました。

ゲルマネンはポストグラフェンとして期待されるナノテクのための新材料です。ゲルマネンはグラフェンとは異なり自然界に存在しませんが、最近の金属基板上での合成の報告を契機に、世界中で精力的に研究されています。これまで、ゲルマネンの原子配置についてはいくつか提案はされていましたが、まだ実験的な構造決定の報告はありませんでした。今回本研究グループは、表面敏感なTRHEPD 法を用いて、アルミニウム基板上でのゲルマネンについて調べました。その結果、これまでの予想に反し、原子配置の対称性が破れていることが明らかになりました。今回、基礎となる原子配置がわかったことにより、ゲルマネンを用いた省エネ・高速・小型の新しい電子デバイスの設計・開発の促進が期待されます。

本研究成果は、9月8日に、英国物理学会(IOP)が発行する「2D Materials」誌のオンライン版に掲載されました。

続きはソースで

ダウンロード (1)

 

引用元: 【材料科学】新材料ゲルマネンの原子配置に対称性の破れ 省エネ・高速・小型電子デバイス実現に向けた素子開発へ道 [無断転載禁止]©2ch.net

新材料ゲルマネンの原子配置に対称性の破れ 省エネ・高速・小型電子デバイス実現に向けた素子開発へ道の続きを読む