1: ◆CHURa/Os2M @ちゅら猫ρ ★ 2013/10/04(金) 18:11:40.65 ID:???0

★三菱電機、1cm角に大面積化した炭化ケイ素パワー半導体を開発
掲載日 2013年10月02日

 三菱電機は炭化ケイ素(SiC)を使った世界最大サイズの1平方センチメートル大のパワー半導体トランジスタを開発した。チップの大面積化に伴うスイッチング動作のバラつきを解消する配線構造を考案し、従来比4倍の電流を1チップでスイッチングできることを確認した。宮崎市で開催中のSiC関連で世界最大の国際会議(ICSCRM2013)で発表した。

 開発したのはSiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)。
チップ面積を従来の5ミリメートル角程度から、1センチメートル角へ約4倍に大面積化した。
従来のシリコンパワー半導体に匹敵する300アンぺアの大電流を1チップでスイッチングできる。

 チップを大型化することでモジュール内のチップ搭載数が減り、モジュールが小型化できるとともに、部品点数を4分の1以下に減らせることからモジュールコストを下げられる。

http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720131002eaaa.html
1



三菱電機、1cm角に大面積化した炭化ケイ素パワー半導体を開発の続きを読む