理系にゅーす

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素子

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1: 2016/10/18(火) 21:44:03.30 ID:CAP_USER
キヤノン:キヤノンが世界で初めてInPイマージョン回折素子の開発に成功
http://web.canon.jp/pressrelease/2016/p2016oct18j.html
http://web.canon.jp/pressrelease/2016/img/p2016oct18.jpg


キヤノンは、Ge(ゲルマニウム)、CdZnTe(テルル化カドミウム亜鉛)に続き、InP(リン化インジウム)のイマージョン回折素子の開発に世界に先駆けて成功しました。ラインアップの強化により、観測可能な赤外波長が広がり、宇宙観測のさらなる進展に寄与します。

人工衛星や天体望遠鏡には、宇宙が放つ光に含まれる情報を取り出すために、光を波長ごとに分ける分光器が搭載されており、宇宙観測において重要な役割を担っています。イマージョン回折素子は、一般的な反射型素子に比べて分光器の小型化、高性能化を可能にする分光用のデバイスです。今回ラインアップに加わったInPのイマージョン回折素子は、同じ波長をカバーする一般的な反射型素子を搭載した分光器と比較して、分光器の体積を約1/27に小型化することが可能です。これまで、大きさや質量の制約により、搭載が難しかった高性能分光器を人工衛星に搭載して宇宙に打ち上げることが可能となり、宇宙観測の可能性がさらに広がることが期待されます。また次世代の地上大型望遠鏡に適用することにより、大型化が課題となる望遠鏡の小型化につながることも期待されます。

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引用元: 【光学技術】キヤノンが世界で初めてInPイマージョン回折素子の開発に成功 [無断転載禁止]©2ch.net

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1: 2016/10/16(日) 12:22:15.38 ID:CAP_USER
横滑りX線導波管 | 理化学研究所
http://www.riken.jp/pr/press/2016/20161013_1/
http://www.riken.jp/~/media/riken/pr/press/2016/20161013_1/fig2.gif
横滑りX線導波管 | 60秒でわかるプレスリリース | 理化学研究所
http://www.riken.jp/pr/press/2016/20161013_1/digest/


X線は医療や科学研究を支える重要な光の一つです。しかし、X線は波長が非常に短く物質を透過しやすい性質を持つため、例えばその向きを変えるという基本的な制御すら、いろいろな工夫が必要です。そのため、多くのX線実験がさまざまな制約の下で行われています。そこで、X線を制御する新しい手法を開発すれば、制約を緩和して実験の幅をさらに広げることが可能になります。

今回、理研の研究チームはまず、圧電素子(与えられた電圧に応じた圧力を発生させる素子)でシリコン薄膜単結晶の歪みを制御する装置を開発しました。次に、大型放射光施設「SPring-8」で単色・平行度の高いX線ビームを作り、歪みを制御した試料に照射しました。結晶の角度は「ブラッグの条件」付近になるように維持しました。ここで、ブラッグの条件とは、結晶に入射したX線の回折が強め合うために必要な入射角度条件のことです。

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引用元: 【光学技術】横滑りX線導波管 理論物理の検証が拓いたX線制御の新技術 [無断転載禁止]©2ch.net

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1: 2016/10/12(水) 18:03:01.28 ID:CAP_USER
産総研:従来の限界を超える高温環境で動作する不揮発性メモリー
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2016/pr20161012/pr20161012.html
http://www.aist.go.jp/Portals/0/resource_images/aist_j/press_release/pr2016/pr20161012/fig.png


ポイント

• ナノメートルの「すきま」を利用するナノギャップメモリーの高温耐性を実現
• 耐熱性を有する白金ナノ構造を利用することで従来を大きく上回る600 ℃超での書き換え・記録技術を実現
• 超高温での記録技術によりフライトレコーダーなどの耐環境性電子素子への応用に期待


概要

 千葉工業大学(学長 小宮 一仁)(以下「千葉工大」という)工学部(工学部長 平塚 健一)機械電子創成工学科 菅 洋志 助教は、国立研究開発法人 産業技術総合研究所(理事長 中鉢 良治)(以下「産総研」という)ナノエレクトロニクス研究部門(研究部門長 安田 哲二)、内藤 泰久 主任研究員、および国立研究開発法人 物質・材料研究機構(理事長 橋本 和仁)(以下「物材機構」という)国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 塚越 一仁 主任研究者と共同で、白金ナノギャップ構造を利用し、600 ℃でも動作する不揮発性メモリー素子をはじめて開発した。

 通常のシリコン半導体を用いたメモリー素子では、バンドギャップに起因する半導体性を高温では保持できなくなり、メモリー機能を維持出来ない。今回、情報記憶部に耐熱性を有する白金ナノ構造を利用する方法によって、非常に高い温度で動作する不揮発性の抵抗変化メモリーの実現に成功した。このメモリー素子は、高温環境下でのメモリーやセンサーへの応用、たとえばフライトレコーダーや惑星探査機への応用が期待される。なお、この技術の詳細は、Springer Natureが発行する学術雑誌Scientific Reportsに論文として掲載される予定であり、10月11日付けで電子版に掲載される。

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引用元: 【技術】従来の限界を超える高温環境で動作する不揮発性メモリー 人類が初めて手にする600 ℃超での書き換え・記録技術 [無断転載禁止]©2ch.net

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1: 2016/09/20(火) 21:41:07.76 ID:CAP_USER
産総研:世界最高性能の半導体系トンネル磁気抵抗素子を開発
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2016/pr20160920/pr20160920.html


ポイント

•半導体酸化ガリウムをトンネル障壁層とした全単結晶トンネル磁気抵抗(TMR)素子を開発
• 半導体系TMR素子として室温における世界最高性能(磁気抵抗変化率92 %)を達成
• 超省電力トランジスタの実現へ道を拓き、待機電力ゼロのコンピューターへの貢献に期待


概要

 国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下「産総研」という)スピントロニクス研究センター【研究センター長 湯浅 新治】 半導体スピントロニクスチーム付 齋藤 秀和 企画主幹は、独自に開発した単結晶酸化ガリウム(Ga2O3)の成膜プロセスを用いて、半導体Ga2O3をトンネル障壁層とした単結晶だけからなるトンネル磁気抵抗(TMR)素子を開発した。

 今回開発したTMR素子の磁気抵抗変化率(MR比)は室温で92 %と極めて大きい。このTMR素子は、メモリー機能をもつ縦型のスピン電界効果型トランジスタ(縦型スピンFET)の基本構造となるもので、待機電力ゼロのノーマリー・オフ・コンピューターへの貢献が期待される。この技術の詳細は、2016年9月20日(現地時間)に米国の学術誌Physical Review Appliedのオンライン版に掲載される。

 なお、この研究開発は、内閣府 革新的研究開発推進プログラム(ImPACT)「無充電で長期間使用できる究極のエコIT機器の実現(平成26~30年度)」による支援を受けて行った。

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引用元: 【半導体工学】世界最高性能の半導体系トンネル磁気抵抗素子を開発 待機電力ゼロのトランジスタ実現へ道を拓く [無断転載禁止]©2ch.net

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1: 2016/09/16(金) 12:20:19.04 ID:CAP_USER
【プレスリリース】お椀状分子の配向を単分子レベルで自在に制御することに成功―100テラビットを超える省電力高密度メモリー実現に道― - 日本の研究.com
https://research-er.jp/articles/view/50196
https://research-er.jp/img/article/20160915/20160915180010.png


要点

•お椀の形状をもつスマネン分子を金表面に吸着、単分子レベルで配向を制御
•分子配向による伝導度の違い利用し、分子1個が記録素子に
•1平方インチあたり600テラビットの不揮発性メモリーが可能に


概要

東京工業大学 理学院 化学系の藤井慎太郎特任准教授、木口学教授、大阪大学の櫻井英博教授らのグループは、フラーレンの一部を切り出したお椀形状をもつ分子「スマネン[用語1]」を用い、単分子レベルで分子の配向を自在に制御することに成功した。金の表面に最密構造をもつスマネン分子膜を作製し、走査型トンネル顕微鏡(STM)[用語2]の探針を近づけて、スマネン単分子の反転を実現した。

分子反転(分子の向き=配向)によりスマネン分子(図1)の伝導度が10倍程度変化することを確認した。スマネン単分子の伝導度を1記録素子として利用することで記憶媒体として利用できる。また分子反転は電流ではなく機械的な力により誘起され、形状保持に電気は不要である。

スマネン分子の密度は1平方インチあたり600テラビット(Tbit/inch2、1テラビットは約1兆ビット)に相当し、高密度メモリー[用語3]、低消費電力の不揮発性分子メモリーへの展開が期待できる。

研究成果は8月24日に米国化学学会誌(Journal of the American Chemical Society)オンライン版に掲載された。

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引用元: 【技術/材料科学】お椀状分子の配向を単分子レベルで自在に制御することに成功 100テラビットを超える省電力高密度メモリー実現に道 [無断転載禁止]©2ch.net

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1: 2016/09/03(土) 17:34:47.75 ID:CAP_USER
電場によるスキルミオンの生成・消滅に成功 | 理化学研究所
http://www.riken.jp/pr/press/2016/20160901_3/
http://www.riken.jp/~/media/riken/pr/press/2016/20160901_3/fig2.jpg
http://www.riken.jp/~/media/riken/pr/press/2016/20160901_3/fig3.jpg
電場によるスキルミオンの生成・消滅に成功 | 60秒でわかるプレスリリース | 理化学研究所
http://www.riken.jp/pr/press/2016/20160901_3/digest/


物質中の電子スピンの向きを磁気情報として利用する磁気メモリ素子は、高速な情報の読み書きができる素子として期待されています。しかし、その動作には1m2当たり約10億アンペアという大きな電流密度を必要とし、消費電力が大きいことが問題です。そのため、より小さな電流密度で駆動できる材料や手法が、盛んに研究されています。

そこで注目されているのが、電子スピンが渦状に並んだ磁気構造体「スキルミオン」です。スキルミオンは一つが数十ナノメートル(nm、1nmは10億分の1メートル)サイズの小さな磁気渦で、比較的小さな電流や熱流によって駆動できるなどの優れた機能性を持ちます。このスキルミオンを情報担体として用いることで、高密度・低消費電力の次世代メモリが実現できる可能性があります。省電力という点に関して、特に有力なのは“電場を用いた”スキルミオンの生成・消滅です。しかし、それに関する実験的な報告例はこれまでになく、スキルミオンをいかに不揮発的に、かつ効率よく生成・消滅させることできるかが、長年の重要な課題でした。

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