1: ラダームーンサルト(WiMAX) 2013/12/04(水) 20:20:46.86 ID:0WNFVWjQ0 BE:4619463269-PLT(12001) ポイント特典

SiC単結晶を高速成長できる昇華法用高純度粉末原料を開発 - 産総研など

産業技術総合研究所(産総研)は12月3日、太平洋セメントおよび屋久島電工と共同で、パワー半導体用SiCバルク単結晶の高速成長を可能とする昇華法用高純度SiC粉末原料を開発したと発表した。

同成果は、同所 先進パワーエレクトロニクス研究センター ウェハプロセスチームの加藤智久研究チーム長によるもの。詳細は、12月9日~12月10日に埼玉県さいたま市にて開催される「SiC及び関連半導体研究第22回講演会」で発表される。

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昇華法用高昇華型SiC粉末原料

Siデバイスに比べて、高効率・低損失なSiCパワーデバイスは、すでにSBDやMOSFETで実用化されており、今後、同市場は大きく拡大していくと考えられている。この流れをさらに加速させるためには、デバイスに使われるSiC基板の低コスト化が必須とされている。
SiC基板の低コスト化を図るには、SiCバルク単結晶(インゴット)の生産性を高める必要がある。SiCインゴットは、SiC粉末原料を約2400℃の高温で昇華させ、再析出させる昇華再結晶法(改良Lely法)で製造される。同製造法におけるSiCインゴットの生産性は、原料となるSiC粉末の昇華特性に大きく影響を受けると考えられ、生産性を高めるためには、昇華速度、昇華ガス量などが優れたSiC粉末材料が求められている。

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