1: ラ・パーマ(宮崎県) 2013/07/18(木) 08:47:50.54 ID:gdjq1gC80● BE:414432454-PLT(44552) ポイント特典

 次世代パワー半導体として注目を集めるGaN(ガリウムナイトライド/窒化ガリウム)とSiC(シリコンカーバイト/炭化ケイ素)という2つの化合物半導体材料。

GaNは、シリコンやSiCに比べて高速スイッチングが行え、大口径ウエハーによる生産がSiCに比べて容易などの特徴を持ち、主に1200~600V以下のこれまでパワーMOSFETが用いられてきた用途での活用が見込まれる。

一方のSiCは、600~1200V以上の高電圧、大容量の電力を低損失に扱えるという利点などから、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を置き換えるデバイスと目されている。

 メカトロニクス/エレクトロニクス関連の最新の要素技術が一堂に集結する「TECHNO-FRONTIER 2013」(2013年7月17~19日、東京ビッグサイト)でも、GaN/SiCを用いた製品の展示が相次いだ。特に、前年のTECHNO-FRONTIER以上に展示が目立ったのがGaNを用いた製品だ。

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以下ソース
http://eetimes.jp/ee/articles/1307/18/news019.html

参考情報
SiC パワー半導体 - 電力中央研究所
http://www.denken.or.jp/research/pamphlet/sic.pdf
GaN パワー半導体
http://www.ulvac.co.jp/information/prm/prm_arc/063/ulvac063-5.pdf



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