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LSI

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1: 2015/02/05(木) 22:27:36.26 ID:???.net
掲載日:2015年2月5日
http://news.mynavi.jp/news/2015/02/05/373/

 三菱電機と立命館大学は2月5日、あらゆる機器がつながるIoT時代に向け、製造段階で生じるLSIの個体差を利用して、機器の秘匿と認証を行うセキュリティ技術を開発したと発表した。

 ネットワークに接続される組み込み機器が増加する一方で、プログラムの解析・改ざんやデータの奪取、機器のなりすましなどの不正行為に対する対策がますます重要になっている。特に、安全性が重要視される組み込み機器において、プログラムやデータの保護について抜けのない対策が必要とされている。一般的な対策として、機器に内蔵するメモリに暗号処理を行ったID情報を格納しているが、機器の電源を切ってもID情報がメモリ上に残留するため、チップを開封して内部を調べることで、IDの解析が可能になるという課題があった。そこで今回、同じ機能を持つLSIの個体差を活用して指紋のような固有IDを作り、復号時に鍵として用いる新たなセキュリティ技術を開発した。

 一般的に、LSIは内部の回路で定められた計算を行うため、同じ回路が入ったLSIに同じ入力の計算をさせると同じ計算結果を出力する。しかし、計算結果に至る過程が個体ごとに異なるため、今回、この個体差をLSIの指紋に見立て、同じ回路を実装したLSIごとに固有IDを作り出すことに成功した。この固有IDは、回路を動かした時にしか現れないため、チップを開封して内部を調べても解析することができない。また、指定のLSIの固有ID情報でしか復号できないように暗号化されたプログラムやデータは、そのLSIを持つ機器でしか使えなくなるため、機器の安全性を確保できる。加えて、特定の固有IDを持つ機器同士をつなげるように設定することも可能になるとしている。

続きはソースで

<画像>
同じ回路が搭載されたLSIに生じる個体差
http://news.mynavi.jp/news/2015/02/05/373/images/001l.jpg

固有IDの生成方法。信号を入力すると発生する電圧の上昇する回数を数え、その数が偶数個ならば0、奇数個ならば1の
ビットを与える。そして、入力する信号を変えて繰り返しビットに変換し、指紋のような固有ID情報を生成する
http://news.mynavi.jp/news/2015/02/05/373/images/002l.jpg

試作されたLSI。(左)65nm、2.1mm角、(右)180nm、2.5mm角
http://news.mynavi.jp/news/2015/02/05/373/images/003l.jpg

<参照>
三菱電機 Mitsubishi Electric - 「IoT時代に向けたセキュリティー技術」を開発
http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2015/0205.pdf

引用元: 【技術/IoT】三菱電機など、LSIの個体差から固有IDを生成するセキュリティ技術を開発

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1: 2014/12/19(金) 03:51:08.94 ID:???.net
掲載日:2014年12月18日

産業技術総合研究所(産総研)は12月16日、LSIの3D積層技術の実現に向けて、新たな多結晶膜形成技術を開発し、N型多結晶ゲルマニウム(Ge)トランジスタの性能を大幅に改善したと発表した。

同成果は、同所 ナノエレクトロニクス研究部門 新材料・機能インテグレーショングループの森貴洋研究員らによるもの。詳細は、12月15~17日に米国サンフランシスコで開催される国際会議「2014 International Electron Devices Meeting(IEDM2014)」にて発表される。

多結晶Geは、広く用いられている多結晶シリコン(Si)に比べ、より低温(500℃以下)で形成できる。そのため、熱的ダメージを与えずに集積回路上にCMOS回路を直接積層でき、3D-LSIの要素技術として有望である。さらに、Ge中の電子や正孔の移動度はSiよりも高いため、高速動作や低電圧動作が期待される。

一方で、集積回路動作にはN型とP型のトランジスタが必要で、多結晶GeのP型トランジスタではすでに通常の単結晶Siトランジスタに迫る十分な性能が得られている。しかし、N型トランジスタの電流駆動力は通常のSiトランジスタよりも1桁以上低いという問題があった。
今回開発した技術では、電流駆動力を従来の約10倍に増大できたため、多結晶Ge集積回路の動作速度が実用レベルになると期待され、3D-LSIの実現に貢献することが考えられるとコメントしている。

<画像>
(左)多結晶Geトランジスタを用いた3D-LSIのコンセプト図と(右)今回開発した多結晶Geトランジスタの構造模式図
http://news.mynavi.jp/news/2014/12/18/075/images/001l.jpg

<参照>
産総研:多結晶ゲルマニウムトランジスタの性能を大幅に向上
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2014/pr20141216/pr20141216.html

<記事掲載元>
http://news.mynavi.jp/news/2014/12/18/075/

引用元: 【半導体】産総研、多結晶ゲルマニウムトランジスタの性能改善に成功

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