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SiC

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1: 2015/01/31(土) 22:08:04.20 ID:???.net
掲載日:2015年1月30日

 トヨタ自動車(トヨタ)は1月29日、パワーコントロールユニット(PCU)にSiCパワー半導体を搭載したハイブリッド車(HV)「カムリ」の試作車を開発し、2015年2月より約1年間、豊田市を中心に公道での走行試験を行うと発表した。

 PCUに使われているパワー半導体は車両全体の電力損失の約20%を占めており、その高効率化は燃費向上に不可欠とされる。今回開発された試作車は、PCU内の昇圧コンバーターおよびモーター制御用インバーターに、SiCパワー半導体(トランジスタ、ダイオード)を搭載した。

 公道走行試験では、走行速度や走行パターン、外気温などさまざまな走行条件ごとに、PCU内の電流、電圧などのデータを取得し、燃費への効果を検証する。

続きはソースで

<画像>
SiC搭載車両
http://news.mynavi.jp/news/2015/01/30/134/images/001l.jpg

SiC PCU
http://news.mynavi.jp/news/2015/01/30/134/images/002l.jpg

<参照>
トヨタ自動車、新素材SiCパワー半導体搭載車両の公道走行を開始 | トヨタグローバルニュースルーム
http://newsroom.toyota.co.jp/jp/detail/5725437

<記事掲載元>
http://news.mynavi.jp/news/2015/01/30/134/

引用元: 【カーエレクトロニクス】トヨタ、SiCパワー半導体搭載HVの公道走行試験を開始へ

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1: ラダームーンサルト(WiMAX) 2013/12/04(水) 20:20:46.86 ID:0WNFVWjQ0 BE:4619463269-PLT(12001) ポイント特典

SiC単結晶を高速成長できる昇華法用高純度粉末原料を開発 - 産総研など

産業技術総合研究所(産総研)は12月3日、太平洋セメントおよび屋久島電工と共同で、パワー半導体用SiCバルク単結晶の高速成長を可能とする昇華法用高純度SiC粉末原料を開発したと発表した。

同成果は、同所 先進パワーエレクトロニクス研究センター ウェハプロセスチームの加藤智久研究チーム長によるもの。詳細は、12月9日~12月10日に埼玉県さいたま市にて開催される「SiC及び関連半導体研究第22回講演会」で発表される。

9fe7381d.jpg

http://news.mynavi.jp/news/2013/12/04/461/images/001l.jpg
昇華法用高昇華型SiC粉末原料

Siデバイスに比べて、高効率・低損失なSiCパワーデバイスは、すでにSBDやMOSFETで実用化されており、今後、同市場は大きく拡大していくと考えられている。この流れをさらに加速させるためには、デバイスに使われるSiC基板の低コスト化が必須とされている。
SiC基板の低コスト化を図るには、SiCバルク単結晶(インゴット)の生産性を高める必要がある。SiCインゴットは、SiC粉末原料を約2400℃の高温で昇華させ、再析出させる昇華再結晶法(改良Lely法)で製造される。同製造法におけるSiCインゴットの生産性は、原料となるSiC粉末の昇華特性に大きく影響を受けると考えられ、生産性を高めるためには、昇華速度、昇華ガス量などが優れたSiC粉末材料が求められている。

http://news.mynavi.jp/news/2013/12/04/461/index.html

つづく



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1: ◆CHURa/Os2M @ちゅら猫ρ ★ 2013/10/04(金) 18:11:40.65 ID:???0

★三菱電機、1cm角に大面積化した炭化ケイ素パワー半導体を開発
掲載日 2013年10月02日

 三菱電機は炭化ケイ素(SiC)を使った世界最大サイズの1平方センチメートル大のパワー半導体トランジスタを開発した。チップの大面積化に伴うスイッチング動作のバラつきを解消する配線構造を考案し、従来比4倍の電流を1チップでスイッチングできることを確認した。宮崎市で開催中のSiC関連で世界最大の国際会議(ICSCRM2013)で発表した。

 開発したのはSiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)。
チップ面積を従来の5ミリメートル角程度から、1センチメートル角へ約4倍に大面積化した。
従来のシリコンパワー半導体に匹敵する300アンぺアの大電流を1チップでスイッチングできる。

 チップを大型化することでモジュール内のチップ搭載数が減り、モジュールが小型化できるとともに、部品点数を4分の1以下に減らせることからモジュールコストを下げられる。

http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720131002eaaa.html
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1: ラ・パーマ(宮崎県) 2013/07/18(木) 08:47:50.54 ID:gdjq1gC80● BE:414432454-PLT(44552) ポイント特典

 次世代パワー半導体として注目を集めるGaN(ガリウムナイトライド/窒化ガリウム)とSiC(シリコンカーバイト/炭化ケイ素)という2つの化合物半導体材料。

GaNは、シリコンやSiCに比べて高速スイッチングが行え、大口径ウエハーによる生産がSiCに比べて容易などの特徴を持ち、主に1200~600V以下のこれまでパワーMOSFETが用いられてきた用途での活用が見込まれる。

一方のSiCは、600~1200V以上の高電圧、大容量の電力を低損失に扱えるという利点などから、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を置き換えるデバイスと目されている。

 メカトロニクス/エレクトロニクス関連の最新の要素技術が一堂に集結する「TECHNO-FRONTIER 2013」(2013年7月17~19日、東京ビッグサイト)でも、GaN/SiCを用いた製品の展示が相次いだ。特に、前年のTECHNO-FRONTIER以上に展示が目立ったのがGaNを用いた製品だ。

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以下ソース
http://eetimes.jp/ee/articles/1307/18/news019.html

参考情報
SiC パワー半導体 - 電力中央研究所
http://www.denken.or.jp/research/pamphlet/sic.pdf
GaN パワー半導体
http://www.ulvac.co.jp/information/prm/prm_arc/063/ulvac063-5.pdf



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