産総研：世界最高性能の半導体系トンネル磁気抵抗素子を開発
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2016/pr20160920/pr20160920.html


ポイント

•半導体酸化ガリウムをトンネル障壁層とした全単結晶トンネル磁気抵抗（TMR）素子を開発
• 半導体系TMR素子として室温における世界最高性能（磁気抵抗変化率92 %）を達成
• 超省電力トランジスタの実現へ道を拓き、待機電力ゼロのコンピューターへの貢献に期待


概要

　国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】（以下「産総研」という）スピントロニクス研究センター【研究センター長 湯浅 新治】　半導体スピントロニクスチーム付 齋藤　秀和　企画主幹は、独自に開発した単結晶酸化ガリウム（Ga2O3）の成膜プロセスを用いて、半導体Ga2O3をトンネル障壁層とした単結晶だけからなるトンネル磁気抵抗（TMR）素子を開発した。

　今回開発したTMR素子の磁気抵抗変化率（MR比）は室温で92 ％と極めて大きい。このTMR素子は、メモリー機能をもつ縦型のスピン電界効果型トランジスタ（縦型スピンFET）の基本構造となるもので、待機電力ゼロのノーマリー・オフ・コンピューターへの貢献が期待される。この技術の詳細は、2016年9月20日(現地時間)に米国の学術誌Physical Review Appliedのオンライン版に掲載される。

　なお、この研究開発は、内閣府 革新的研究開発推進プログラム（ImPACT）「無充電で長期間使用できる究極のエコIT機器の実現（平成26～30年度）」による支援を受けて行った。

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