2017年06月05日 09時30分 更新
三重富士通セミコン DDC技術で：
広島大学は2017年6月5日、三重富士通セミコンダクターの低消費電力CMOS技術「Deeply Depleted Channel（DDC）」を使用して、電源電圧0.5Vで動作するミリ波帯（W帯）増幅器を開発したと発表した。
[竹本達哉，EE Times Japan]
広島大学が回路を開発

　三重富士通セミコンダクター（以下、MIFS）と広島大学は2017年6月5日、MIFSの超低消費電力CMOS技術「Deeply Depleted Channel（DDC）」を使用し、80GHzから106GHzの広帯域で動作するCMOS増幅器を開発したと発表した。

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55nm DDC CMOSプロセスを用いた0.5V動作ミリ波帯（W帯）増幅回路の写真 出典：広島大学／三重富士通セミコンダクター
　DDC技術は、MIFSがスイスのCentre Suisse d'Electronique et de Microtechnique（CEMS）と共同で開発を進めているCMOS技術。トランジスタのしきい値（Vt）ばらつきを抑えて実効パフォーマンスを高められ、デバイスの電源電圧（VDD）を低減できる特長がある。

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0.5V動作ミリ波帯（W帯）増幅回路の実測結果 出典：広島大学／三重富士通セミコンダクター

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　なお、今回の開発成果はRF回路技術に関する国際会議「IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium 2017（RFIC 2017）」（米国ハワイ州／2017年6月4?6日［現地時間］）で発表される。