共同発表：電圧書込み方式不揮発性メモリーの安定動作の実証と書込みエラー率評価～超低消費電力の電圧書込み型磁気メモリー「電圧トルクＭＲＡＭ」の実現に道筋～
http://www.jst.go.jp/pr/announce/20151210/index.html


ポイント
不揮発性メモリーＭＲＡＭの新しい書込み方式「電圧書込み」の安定動作を実証。
実用上重要な書込みエラー率の評価法を開発、実用化に必要なエラー率実現に道筋。
電圧書込み型の不揮発性メモリーによる情報機器の超低消費電力化の可能性。


国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長　中鉢 良治】（以下「産総研」という）スピントロニクス研究センター【研究センター長　湯浅 新治】
電圧スピントロニクスチーム　塩田 陽一　研究員は、電圧を用いた磁気メモリー書込みの安定動作を実証し、実用化に必要な書込みエラー率注１）を実現する
道筋を明らかにした。

非常に薄い金属磁石層（記録層）をもつ磁気トンネル接合素子（ＭＴＪ素子）注２）にナノ秒程度の極短い時間電圧パルスをかけると、磁化反転注３）を誘起できる。これを利用すると磁気メモリーへの情報の書込みができる。今回、この電圧書込み方式の安定動作を実証し、また書込みエラー率の評価法を開発して、エラー率を４×１０－３と評価した。

さらに、実験結果を再現できる計算機シミュレーションを用いて、磁気摩擦定数注４）の低減と熱じょう乱耐性Δ注５）の向上、あるいは書込み後のベリファイ注１）の実行により、メモリー用途に求められる１０－１０～１０－１５というエラー率を実現できる可能性があることを示した（下図（ｂ））。電圧書込み方式は電流が不要なので消費電力が非常に小さくなる。今回の成果により、超低消費電力の電圧書込み型不揮発性メモリー注６）「電圧トルクＭＲＡＭ注７）」の研究開発の加速が期待される。

この成果の詳細は、２０１５年１２月１０日に日本の科学誌Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｅｘｐｒｅｓｓのオンライン速報版に掲載される。

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