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次世代

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1: バーニングハンマー(WiMAX) 2013/07/29(月) 21:50:49.99 ID:vyGewi4u0● BE:4090493186-PLT(12001) ポイント特典

ソニーとパナソニック、次世代光ディスク規格を共同開発 - 業務用300GB以上

ソニーとパナソニックは29日、業務用光ディスクの次世代規格を共同開発することで基本合意したと発表した。
2015年内に1枚あたり300GB以上の容量を持つ光ディスクの開発を目指すという。

今回の基本合意は、デジタルデータを長期保存するアーカイブ市場の拡大に対応するためのもの。映像制作業界の需要に加え、ビッグデータを扱うクラウドデータセンターなどでもアーカイブのニーズが高まっているという。
両社はこれまでブルーレイディスクフォーマットをベースに開発を進めてきたが、将来に向けて光ディスク1枚あたりの記録容量をあげることが必須であるとの考えで一致した。目標とする1枚あたり300GBの容量は、片面1層のブルーレイディスク12枚分となる。

ソニー「オプティカルディスク・アーカイブシステム」
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 http://news.mynavi.jp/news/2013/07/29/166/images/001l.jpg
パナソニック「LB-DM9シリーズ」
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 http://news.mynavi.jp/news/2013/07/29/166/images/002l.jpg

すでに、ソニーは放送業務用の「XDCAM」における技術を元に、12枚の光ディスクを収めたカートリッジを利用する「オプティカルディスク・アーカイブシステム」を2012年9月に製品化。容量300GBから1.5TBまでのカートリッジを提供している。

パナソニックはこの7月に、100GBの光ディスク12枚を収めた専用マガジンを利用する「LB-DM9シリーズ」を発売。最大容量は専用マガジンを90本収納することで108TBに達する。

http://news.mynavi.jp/news/2013/07/29/166/



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1: ラ・パーマ(宮崎県) 2013/07/18(木) 08:47:50.54 ID:gdjq1gC80● BE:414432454-PLT(44552) ポイント特典

 次世代パワー半導体として注目を集めるGaN(ガリウムナイトライド/窒化ガリウム)とSiC(シリコンカーバイト/炭化ケイ素)という2つの化合物半導体材料。

GaNは、シリコンやSiCに比べて高速スイッチングが行え、大口径ウエハーによる生産がSiCに比べて容易などの特徴を持ち、主に1200~600V以下のこれまでパワーMOSFETが用いられてきた用途での活用が見込まれる。

一方のSiCは、600~1200V以上の高電圧、大容量の電力を低損失に扱えるという利点などから、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を置き換えるデバイスと目されている。

 メカトロニクス/エレクトロニクス関連の最新の要素技術が一堂に集結する「TECHNO-FRONTIER 2013」(2013年7月17~19日、東京ビッグサイト)でも、GaN/SiCを用いた製品の展示が相次いだ。特に、前年のTECHNO-FRONTIER以上に展示が目立ったのがGaNを用いた製品だ。

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以下ソース
http://eetimes.jp/ee/articles/1307/18/news019.html

参考情報
SiC パワー半導体 - 電力中央研究所
http://www.denken.or.jp/research/pamphlet/sic.pdf
GaN パワー半導体
http://www.ulvac.co.jp/information/prm/prm_arc/063/ulvac063-5.pdf



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