理系にゅーす

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磁気

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1: 2016/02/25(木) 17:59:17.85 ID:CAP_USER.net
質量のないディラック電子の磁気モーメントを精密測定 | 理化学研究所
http://www.riken.jp/pr/press/2016/20160224_1/


要旨

理化学研究所創発物性科学研究センター創発物性計測研究チームの付英双(フ・インシュアン)国際特別研究員(研究当時)(中国・華中科技大学教授)、花栗哲郎チームリーダー、強相関量子伝導研究チームの川村稔専任研究員、創発計算物理研究ユニットのモハマド・サイード・バハラミーユニットリーダー、東京工業大学応用セラミックス研究所の笹川崇男准教授らの共同研究グループ※は、「トポロジカル絶縁体[1]」表面に形成される質量ゼロの「ディラック電子[2]」が持つ磁気モーメント(磁力の大きさと向きを表すベクトル量)を精密に測定する新しい手法を開発しました。

トポロジカル絶縁体は、固体内部の電子は動くことができませんが、その表面には自由に動く電子が自然に現れる物質です。また、この表面の電子には質量がありません。
このような質量ゼロの電子はディラック電子と呼ばれ、通常の電子とは異なる性質を示します。
特にトポロジカル絶縁体表面のディラック電子は、電気伝導と磁性の間の強いつながりが特徴で、スピントロニクス[3]などへの応用が期待されています。
表面のディラック電子を制御するためには、磁性を特徴づける基本的な量である電子の磁気モーメントの情報が必要です。
しかし、表面ディラック電子の磁気モーメントを測定できる手法はこれまで存在しませんでした。

今回、共同研究グループは、「走査型トンネル顕微鏡法/分光法(STM/STS)[4]」を用いた磁気モーメントの新しい評価法を開発し、2種類のトポロジカル絶縁体に適用しました。
その結果、2つの物質でディラック電子の運動速度がほとんど同じであるのに対し、磁気モーメントは大きさも方向も全く異なることが分かりました。

これは、トポロジカル絶縁体の隠れた個性を明らかにしたもので、磁気モーメントを通したディラック電子の新しい制御法の開発へつながる成果です。

本研究は、国際科学雑誌『Nature Communications』(2月24日付:日本時間2月24日)に掲載されます。

続きはソースで

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引用元: 【物性物理学】質量のないディラック電子の磁気モーメント(g因子)を精密測定 トポロジカル絶縁体の隠れた個性を発見

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1: 2015/12/27(日) 08:28:20.24 ID:B552DQda*.net
2015年12月26日 12時05分

 神経が傷つくことで生じる痛みを和らげる新型の磁気刺激治療機器を大阪大など4大学と、メーカーの帝人ファーマ(東京)が共同開発し、この機器を使った患者への臨床試験(治験)が阪大病院で始まった。

 機器は家庭用電源で患者が操作できるよう作られており、将来は在宅での治療も可能になりそうだ。

 治験を行うのは同大の斎藤洋一特任教授(脳神経外科)のグループ。脳卒中や背骨の手術後の痛み、重い糖尿病による手足の痛みなどが6か月以上続き、薬が効かない患者144人を対象とする。治験にあたっては、日本医療研究開発機構(AMED)から資金を受けた。

 同機器は、電気が流れるコイルから発する磁気で、頭蓋骨の上から痛みを感じていると考えられる脳の一部を刺激する。磁気が神経に影響し、痛みが和らぐと考えられている。

(続きや関連情報はリンク先でご覧ください)

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引用元:YOMIURI ONLINE(読売新聞)
http://www.yomiuri.co.jp/science/20151226-OYT1T50064.html

引用元: 【科学】 磁気で脳刺激、身体の痛み緩和…阪大など治験 (読売新聞)

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1: 2015/12/24(木) 07:40:01.62 ID:CAP_USER.net
テトラ中性子核を発見:中性子物質研究の本道を開拓 — 東京大学 大学院理学系研究科・理学部
http://www.s.u-tokyo.ac.jp/ja/press/12173/


発表のポイント
•知られている原子核はすべて陽子と中性子の組み合わせでできているが、4個の中性子だけで出来た原子核の共鳴状態「テトラ中性子共鳴(注1)」を発見した。
•通常、物質質量の大半を担う原子核は、陽子と中性子の組合せで構成されているが、新しい実験手法を開発し、ほぼ静止した4個の中性子系の生成に初めて成功した。
•本研究により、原子核の安定性および相互作用に関する新しい知見を得るとともに、中性子星(注2)の構造解明につながることが期待される。


発表概要

物質質量の大半を担う原子核は、通常、陽子と中性子の組合せで構成されているが、東京大学大学院理学系研究科附属原子核科学研究センターと理化学研究所仁科加速器研究センター等の共同研究グループは、陽子を含まず中性子4個だけからなるテトラ中性子共鳴を初めて発見した。

この共鳴は、原子核物理学の重要な研究課題である中性子物質(注3)の性質に直接関わるものとして実験的にも理論的にもその存在の有無が注目されていた。この状態のエネルギーは核力(注4)の性質のうち3つの中性子の間に働く三体力(注5)に直接関連づけられ、この力の強さが、中性子物質の状態方程式を決定づける重要なパラメータの1つとして興味を集めている。

研究グループは、理化学研究所RIビームファクトリー施設(注6)および東京大学が建設したSHARAQ(シャラク)磁気分析装置(注7)を用いて、不安定な原子核であるヘリウム8ビームを利用した新しい実験手法を開発し、実験室中でほぼ静止した4中性子系を生成し、共鳴状態を発見した。今回の発見は、宇宙に存在する主として中性子から成る中性子星の構造の解明への道を拓くものと期待される。

続きはソースで

ダウンロード


引用元: 【原子核物理学】陽子を含まず中性子4個だけからなるテトラ中性子共鳴を初めて発見 中性子物質研究の本道を開拓

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1: 2015/12/17(木) 22:09:07.24 ID:CAP_USER.net
産総研:不揮発磁気メモリー(STT-MRAM)の記憶安定性を2倍に向上
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2015/pr20151217/pr20151217.html


ポイント

•極薄コバルト層の開発により記憶安定性を2倍に向上
• 記憶素子の低素子抵抗特性を併せ持つ垂直磁化トンネル接合を実現
•20ナノメートル以下世代の大容量STT-MRAM開発を加速


概要

 国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下「産総研」という)スピントロニクス研究センター【研究センター長 湯浅 新治】金属スピントロニクスチーム薬師寺 啓 研究チーム長は、次世代のメモリーデバイスであるスピントルク書込型磁気ランダムアクセスメモリー(STT-MRAM)に用いられる垂直磁化トンネル磁気抵抗(TMR)素子の記憶安定性を従来の2倍に向上させた。

 垂直磁化TMR素子は、情報記憶を行う「記憶層」と、記憶層情報の判定基準である「参照層」により構成され、記憶層には記憶した情報を失わない強固さ(記憶安定性)が求められる。今回開発した垂直磁化TMR素子では、イリジウム層と極めて薄いコバルト層からなる界面構造を記憶層の一部に用いて、記憶安定性を従来の2倍に向上させた。
従来の半導体メモリー(DRAM)を代替するには、20ナノメートル(nm)以下の素子サイズが必要とされるが、今回の成果により、素子サイズ19 nmの超高集積化STT-MRAMの実現が見込まれ、データストレージやモバイルデバイスといった製品化への応用が期待される。

 なお、この成果は、近くApplied Physics Expressのオンライン版へ掲載される。

続きはソースで

ダウンロード (3)
 


引用元: 【技術】不揮発磁気メモリー(STT-MRAM)の記憶安定性を2倍に向上 大容量STT-MRAMの実用化開発を加速

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1: 2015/12/15(火) 12:29:09.68 ID:CAP_USER.net
【プレスリリース】高温プラズマ中の新現象を発見 新しい突発現象の発見とそのメカニズムの解明 - 日本の研究.com
http://research-er.jp/articles/view/41519


 自然科学研究機構 核融合科学研究所(岐阜県土岐市 所長・竹入康彦)は、大型ヘリカル装置(LHD)で生成される1億度に及ぶ高温プラズマの内部を計測するために、LHDで開発した高エネルギー重イオンビームプローブ(HIBP)と呼ばれる計測装置を用いて、九州大学応用力学研究所(福岡県春日市 所長・大屋裕二)と共同研究の下で、高温プラズマ中に突発的な揺らぎが発生する新しい現象を発見し、そのメカニズムを解明しました。

 この研究成果をまとめた論文2誌が、12月下旬(予定)に米国物理学会が発行する科学雑誌「Physical Review Letters」に掲載されます。


リリース概要

 核融合科学研究所の井戸 毅 准教授らの研究グループは、核融合科学研究所のLHDで開発した重イオンビームプローブと呼ばれる電位計測器と磁気センサーを用いて、プラズマ中に突発的な揺らぎが発生する新しい現象を発見しました。

 また、九州大学応用力学研究所の伊藤 早苗 教授らの理論グループとの共同研究により、そのメカニズムを解明しました。

 突発的な揺らぎの発生は、核融合プラズマだけでなく、宇宙におけるプラズマ中にも見られており、それらの物理機構は数10年来の謎となっています。今回の研究成果はそれらの研究の指針になると期待されます。

続きはソースで

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引用元: 【エネルギー技術/原子核物理学】高温プラズマ中に突発的な揺らぎが発生する新現象を発見、メカニズムを解明

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1: 2015/12/10(木) 21:59:34.44 ID:CAP_USER.net
共同発表:電圧書込み方式不揮発性メモリーの安定動作の実証と書込みエラー率評価~超低消費電力の電圧書込み型磁気メモリー「電圧トルクMRAM」の実現に道筋~
http://www.jst.go.jp/pr/announce/20151210/index.html


ポイント
不揮発性メモリーMRAMの新しい書込み方式「電圧書込み」の安定動作を実証。
実用上重要な書込みエラー率の評価法を開発、実用化に必要なエラー率実現に道筋。
電圧書込み型の不揮発性メモリーによる情報機器の超低消費電力化の可能性。


国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下「産総研」という)スピントロニクス研究センター【研究センター長 湯浅 新治】
電圧スピントロニクスチーム 塩田 陽一 研究員は、電圧を用いた磁気メモリー書込みの安定動作を実証し、実用化に必要な書込みエラー率注1)を実現する
道筋を明らかにした。

非常に薄い金属磁石層(記録層)をもつ磁気トンネル接合素子(MTJ素子)注2)にナノ秒程度の極短い時間電圧パルスをかけると、磁化反転注3)を誘起できる。これを利用すると磁気メモリーへの情報の書込みができる。今回、この電圧書込み方式の安定動作を実証し、また書込みエラー率の評価法を開発して、エラー率を4×10-3と評価した。

さらに、実験結果を再現できる計算機シミュレーションを用いて、磁気摩擦定数注4)の低減と熱じょう乱耐性Δ注5)の向上、あるいは書込み後のベリファイ注1)の実行により、メモリー用途に求められる10-10~10-15というエラー率を実現できる可能性があることを示した(下図(b))。電圧書込み方式は電流が不要なので消費電力が非常に小さくなる。今回の成果により、超低消費電力の電圧書込み型不揮発性メモリー注6)「電圧トルクMRAM注7)」の研究開発の加速が期待される。

この成果の詳細は、2015年12月10日に日本の科学誌Applied Physics Expressのオンライン速報版に掲載される。

続きはソースで

ダウンロード
 

引用元: 【技術】電圧書込み方式不揮発性メモリーの安定動作の実証と書込みエラー率評価 超低消費電力の電圧書込み型磁気メモリーの実現に道筋

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